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ZY-HPGe70 低本底高純鍺γ譜儀

ZY-HPGe70 低本底高純鍺γ譜儀產(chǎn)品介紹ZY-HPGe70 低本底高純鍺γ譜儀由福州智元自主研發(fā)生產(chǎn)，系統(tǒng)由高純鍺探測(cè)器、制冷裝置、數(shù)字化多道譜儀、低本底鉛室、伽瑪能譜獲取與分析軟件、無源效率刻度軟件等組成。 本高純鍺探測(cè)系統(tǒng)具有能量分辨率高、放射性活度分析自動(dòng)化程度高、系統(tǒng)穩(wěn)定性高、分析結(jié)果可靠、無需標(biāo)準(zhǔn)源進(jìn)行效率刻度、全中文操作等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)適合放射性能譜分析專業(yè)人員和非專業(yè)人員使用。

關(guān)鍵詞:輻射檢測(cè)儀表

  • 產(chǎn)品描述
  • 產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品視頻
    • 商品名稱: ZY-HPGe70 低本底高純鍺γ譜儀

    ZY-HPGe70 低本底高純鍺γ譜儀產(chǎn)品介紹ZY-HPGe70 低本底高純鍺γ譜儀由福州智元自主研發(fā)生產(chǎn)，系統(tǒng)由高純鍺探測(cè)器、制冷裝置、數(shù)字化多道譜儀、低本底鉛室、伽瑪能譜獲取與分析軟件、無源效率刻度軟件等組成。 本高純鍺探測(cè)系統(tǒng)具有能量分辨率高、放射性活度分析自動(dòng)化程度高、系統(tǒng)穩(wěn)定性高、分析結(jié)果可靠、無需標(biāo)準(zhǔn)源進(jìn)行效率刻度、全中文操作等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)適合放射性能譜分析專業(yè)人員和非專業(yè)人員使用。

    ZY-HPGe70 低本底高純鍺γ譜儀

    產(chǎn)品介紹

    ZY-HPGe70 低本底高純鍺γ譜儀由福州智元自主研發(fā)生產(chǎn)，系統(tǒng)由高純鍺探測(cè)器、制冷裝置、數(shù)字化多道譜儀、低本底鉛室、伽瑪能譜獲取與分析軟件、無源效率刻度軟件等組成。

    本高純鍺探測(cè)系統(tǒng)具有能量分辨率高、放射性活度分析自動(dòng)化程度高、系統(tǒng)穩(wěn)定性高、分析結(jié)果可靠、無需標(biāo)準(zhǔn)源進(jìn)行效率刻度、全中文操作等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)適合放射性能譜分析專業(yè)人員和非專業(yè)人員使用。

    技術(shù)參數(shù)

    （一）寬能高純鍺探測(cè)器

    • 探測(cè)器類型：延展型高純鍺探測(cè)器；
    • 能量范圍：3keV-10MeV；
    • 相對(duì)效率：≥70%；
    • 能量分辨率：對(duì) 122 keV峰（Co-57）：≤1.0keV；對(duì)1332k eV峰（Co-60）：≤2.0 keV。具備重峰干擾排除功能，能量分辨率需達(dá)到或優(yōu)于FWHM≤1.0keV；
    • 冷指：垂直冷指且偏心設(shè)計(jì)；
    • 峰康比（P:C）：≥ 70:1；
    • 晶體端帽尺寸：90mm；
    • 材料：探測(cè)器材料采用超低本底材料制成；

    （二）數(shù)字化多道分析器

    • 積分非線性：在選擇范圍頂上99％，≤滿刻度的±0.025%；微分非線性；
    • 在包括來自積分非線性影響的頂上99％的范圍上，≤±1%；
    • 脈沖對(duì)分辨率–對(duì)選擇的NORM探測(cè)器類型，好于500 ns；
    • 內(nèi)置高壓，放大器，多道等，具有自動(dòng)最優(yōu)化、自動(dòng)極零、零死時(shí)間校正和虛擬示波器；
    • 接口：提供USB2.0或以太接口；

    圖片2

    （三）譜分析及獲取軟件

    • 能在Windows/XP/NT/Vista等相關(guān)系統(tǒng)上運(yùn)行；
    • 內(nèi)置可編輯核素庫：預(yù)制庫文件包含核素≥200種；
    • 伽瑪譜控制與分析軟件包具有譜控制、獲取、分析、報(bào)告與質(zhì)保功能；

    圖片3

    （四）電與液氮混合制冷器

    • 不斷電情況下可連續(xù)不少于1年；
    • 液氮罐容量：25升；
    • 聲音噪聲在1m距離處測(cè)量<55dB；
    • 功耗低，最大功率285W；
    • 制冷器狀態(tài)顯示：自帶感應(yīng)與控制元件，顯示制冷狀態(tài)、加熱器狀態(tài)、氣體壓力；
    • 制冷器液氮顯示：制冷器具備液氮液位指示顯示屏；

    （五）低本底鉛室

    • 鉛室類型：低本底鉛室，一體化鑄造，配套環(huán)型鉛塞；
    • 外形及開門方式：圓柱形，頂開門；
    • 高純度低本底鉛厚度：10cm；
    • 本底：接通任意UPS電源的情況下，50-2000keV范圍內(nèi)的24小時(shí)積分本底計(jì)數(shù)率< 2CPS；

    （六）探測(cè)器表征及無源效率刻度軟件

    • 能對(duì)形狀不常規(guī)、不規(guī)則樣品進(jìn)行效率刻度；
    • 探測(cè)器的表征采用NIST可溯源多能量標(biāo)準(zhǔn)源在不少于7個(gè)點(diǎn)進(jìn)行刻度，并進(jìn)行蒙特卡羅建模計(jì)算，所有數(shù)據(jù)精確并有據(jù)可依；
    • 刻度可以存儲(chǔ)、重新調(diào)出和使用；
    • 包括通常市場(chǎng)可提供的容器庫。

    圖片4

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